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對于產(chǎn)品缺陷的改進(jìn)項目，對DMAIC過程改進(jìn)模式的每一步都進(jìn)行了詳細(xì)的研究和說明。實例充分驗證了DMAIC在實際應(yīng)用中的可行性和有效性，從而樹立了六西格瑪管理在過程控制和改進(jìn)中的威信，為以后的過程改進(jìn)項目提供了寶貴的經(jīng)驗，使六西格瑪管理方法能夠更廣泛地推廣到其他制造領(lǐng)域。

六西格瑪管理在半導(dǎo)體制造業(yè)中的應(yīng)用

二、DMAIC在改善超細(xì)間距產(chǎn)品首次焊點不良率中的應(yīng)用

1.定義階段

隨著芯片電路的集成度越來越高，對于半導(dǎo)體封裝來說，過去一個芯片內(nèi)部只需要焊接十幾根線，而現(xiàn)在同樣體積的芯片需要焊接上百根線，這意味著單根鍵合線的面積和焊點的間距越來越小，從傳統(tǒng)的間距80微米的產(chǎn)品到69微米的微間距產(chǎn)品再到現(xiàn)在的47微米的微間距產(chǎn)品。但是任何一根金絲焊接不好都會導(dǎo)致整個芯片報廢。在這種情況下，對于超細(xì)螺距產(chǎn)品，焊接質(zhì)量的第一要求更具挑戰(zhàn)性。在解決問題之前，根據(jù)DM AIC流程，應(yīng)成立一個專業(yè)團(tuán)隊來實施改進(jìn)項目。

2.測量階段

首先分析測量系統(tǒng)的穩(wěn)定性，然后測量測量系統(tǒng)的線性度和偏差，類似于穩(wěn)定性測量。結(jié)果:偏倚的P值為0.301，即不能拒絕原偏倚為0的假設(shè)，不需要修正測量系統(tǒng)。

最后，對測量系統(tǒng)的重復(fù)性和再現(xiàn)性進(jìn)行了測量和分析。分析結(jié)果表明，該系統(tǒng)的計量R& R值為1.13%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于10%，NDC組數(shù)為124，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于5。總的來說，測量系統(tǒng)完全符合要求。

3.分析階段

①第一焊點缺陷數(shù)據(jù)及潛在原因分析通過對測量系統(tǒng)的穩(wěn)定性、線性、偏置、重復(fù)性和再現(xiàn)性的分析，可知測量系統(tǒng)是可用的，數(shù)據(jù)是真實可靠的。

②焊接強度不足的原因分析。用因果圖分析第一焊點強度不足的原因。結(jié)合改進(jìn)方向的可行性，最終確定“毛細(xì)管尺寸不合理”和“引線鍵合參數(shù)不優(yōu)化”為今后的主要改進(jìn)方向。

4.改進(jìn)階段

①毛細(xì)血管大小的改善。在分析階段確定了本次缺陷改進(jìn)的重點后，首先對焊接針的尺寸進(jìn)行了改進(jìn)，通過對比方差分析，合理選擇了焊接針的尺寸。

②毛細(xì)血管參數(shù)的改善。為了更全面地評估所有關(guān)鍵參數(shù)因素，小組設(shè)計了部分因素實驗設(shè)計，以篩選對第一焊點有重要影響的參數(shù)。列舉了與第一焊點質(zhì)量相關(guān)的四個因素:USG(超聲波)、Force(力)、C/V(下降速度)和Time(引線鍵合時間)。每組實驗中32個球剪切(引線鍵合強度)的平均值作為平均值。每個因素取兩個水平，安排三組中心點評估測試誤差。

5.控制階段

改進(jìn)毛細(xì)管尺寸和參數(shù)后，在數(shù)據(jù)收集階段后更新控制線。

運用DMAIC分析方法，對半導(dǎo)體制造業(yè)超細(xì)間距產(chǎn)品系列的不良首焊點進(jìn)行深入研究，逐一找出問題根源，并對問題根源進(jìn)行改善和控制。這進(jìn)一步證明了六西格瑪管理的有效性和權(quán)威性。對于那些剛剛起步或者即將被六西格瑪管理的企業(yè)來說，六西格瑪管理無疑將成為企業(yè)改革的助推器。當(dāng)然,六西格瑪?shù)拈_發(fā)需要企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)的大力支持，需要各部門的配合，需要團(tuán)隊的力量，需要專業(yè)的人才，需要企業(yè)每個人的努力。當(dāng)六西格瑪融入企業(yè)文化，企業(yè)將迎來質(zhì)的提升。